अंत में एलईडी डेड लाइट की संख्या क्या है? मैं)

May 25, 2017

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बड़े डेटा के अनुसार पता चलता है कि एलईडी मृत प्रकाश से अधिक १०० कारण हो सकता है, समय तक सीमित है, आज हम केवल प्रकाश स्रोत का नेतृत्व किया, उदाहरण के लिए, पांच प्रमुख कच्चे माल की एलईडी प्रकाश स्रोत से (चिप्स, stents, फास्फोरस, पैकेजिंग गोंद और सोने की रेखा) शुरू करने के लिए , मृत रोशनी के लिए नेतृत्व कर सकते हैं कि कारणों में से कुछ का परिचय.

आज, हम एक उदाहरण के रूप में मरने का नेतृत्व किया, कारणों की संख्या का विश्लेषण करने के लिए:

बड़े डेटा का विश्लेषण विफलता के लिए पता चलता है कि एलईडी मृत प्रकाश से अधिक १०० कारण हो सकता है, समय तक सीमित है, आज हम केवल प्रकाश स्रोत का नेतृत्व किया, उदाहरण के लिए, एलईडी प्रकाश स्रोत के पांच प्रमुख स्रोतों से (चिप, ब्रैकेट, फास्फोरस, ठोस क्रिस्टल, और सोने की रेखा) शुरू करने के लिए , मृत रोशनी के लिए नेतृत्व कर सकते हैं कि कारणों में से कुछ का परिचय.

सीहिप

1. सीहिप विरोधी स्थैतिक क्षमता गरीब है

विरोधी स्थैतिक संकेतकों के एलईडी लैंप मोती एलईडी प्रकाश उत्सर्जक चिप पर ही निर्भर करता है, और पैकेजिंग सामग्री पैकेज प्रौद्योगिकी के लिए कुछ नहीं करना है, या कारकों का प्रभाव बहुत छोटा है, बहुत सूक्ष्म है की उंमीद कर रहे हैं; एलईडी लाइट्स अधिक इलेक्ट्रोस्टैटिक क्षति के लिए अतिसंवेदनशील होते हैं, जो दो पिंस रिश्ते के बीच की दूरी है, दो इलेक्ट्रोड के एलईडी चिप मरने रिक्ति बहुत छोटी है, आमतौर पर एक सौ माइक्रोन के भीतर, और एलईडी पिन के बारे में दो मिलीमीटर है, जब इलेक्ट्रोस्टैटिक प्रभारी स्थानांतरण करने के लिए, अधिक से अधिक रिक्ति, अधिक एक बड़ी क्षमता अंतर बनाने के लिए संभावना है, कि, उच्च वोल्टेज. इसलिए एलईडी लाइटों के बंद होने से अक्सर इलेक्ट्रोस्टैटिक नुकसान दुर्घटना की आशंका अधिक रहती है ।

2. सीहिप epitaxial दोष

उच्च तापमान प्रक्रिया में एलईडी epitaxial वेफर्स, सब्सट्रेट, MOCVD प्रतिक्रिया चैंबर अवशिष्ट तलछट, परिधीय गैस और एमओ स्रोत अशुद्धियों को लागू करेगा, इन अशुद्धियों epitaxial परत घुसना होगा, गैलियम नाइट्राइड क्रिस्टल को रोकने के लिए nucleation, epitaxial दोषों की विभिंन प्रकार के गठन, और अंत में छोटे छेद है, जो गंभीरता से epitaxial वेफर फिल्म सामग्री की गुणवत्ता और प्रदर्शन को प्रभावित करेगा के epitaxial परत सतह गठन में ।

3. सीहिप रासायनिक अवशेष

इलेक्ट्रोड प्रसंस्करण एलईडी चिप्स बनाने के लिए महत्वपूर्ण प्रक्रिया है, सफाई सहित, वाष्पीकरण, तेजाब, रासायनिक नक़्क़ाशी, फ्यूजन, पीसने, रासायनिक सफाई एजेंट के एक बहुत कुछ के साथ संपर्क में आ जाएगा, अगर चिप पर्याप्त साफ नहीं है, हानिकारक रासायनिक कर देगा अवशेषों. इन हानिकारक रसायनों एलईडी शक्ति में हो जाएगा, और इलेक्ट्रोड के साथ विद्युत प्रतिक्रिया, मृत रोशनी में जिसके परिणामस्वरूप, प्रकाश विफलता, अंधेरे, काले और इतने पर. इसलिए एलईडी पैकेजिंग प्लांट पर चिप केमिकल के अवशेषों की पहचान जरूरी है ।

4. टीवह चिप क्षतिग्रस्त है

एलईडी चिप क्षति एलईडी विफलता के लिए सीधे नेतृत्व करेंगे, तो एलईडी चिप्स की विश्वसनीयता में सुधार आवश्यक है । वाष्पीकरण की प्रक्रिया के दौरान, यह एक स्प्रिंग क्लिप के साथ चिप को ठीक करने के लिए, इस प्रकार एक क्लिप बनाने के लिए आवश्यक है । Huangguang आपरेशन अगर विकास पूरा नहीं हुआ है और मुखौटा एक छेद है कर देगा प्रकाश क्षेत्र में और अधिक अवशिष्ट धातु है । पिछले प्रक्रिया में अनाज, सफाई, वाष्पीकरण, पीला, रासायनिक नक़्क़ाशी, फ्यूजन, पीसने और अन्य कार्यों के रूप में प्रक्रिया चिमटी और फूलों की टोकरी, वाहनों, आदि का उपयोग करना चाहिए, तो वहाँ अनाज इलेक्ट्रोड परिमार्जन स्थिति हो जाएगा.

टांका पर चिप इलेक्ट्रोड संयुक्त: चिप इलेक्ट्रोड ही ठोस नहीं है, इलेक्ट्रोड बंद या क्षति के बाद मिलाप तार में जिसके परिणामस्वरूप; चिप इलेक्ट्रोड ही गरीब टांका, मिलाप गेंद मिलाप के लिए नेतृत्व करेंगे; चिप भंडारण अनुचित इलेक्ट्रोड सतह ऑक्सीकरण करने के लिए नेतृत्व करेंगे, सतह संदूषण और इतने पर, बंधन सतह के मामूली संदूषण दोनों के बीच धातु परमाणुओं के प्रसार को प्रभावित कर सकते हैं, विफलता या वेल्ड में जिसके परिणामस्वरूप.

5.चिप की नई संरचना और स्रोत सामग्री संगत नहीं है

एल्यूमीनियम की एक परत के साथ एलईडी चिप इलेक्ट्रोड की नई संरचना, दर्पण की एक परत के गठन में इलेक्ट्रोड की भूमिका चिप की दक्षता में सुधार करने के लिए, एक निश्चित सीमा के बाद, सोने की मात्रा कम करने के लिए जमाव में इस्तेमाल किया इलेक्ट्रोड को कम करने के लिए सह अनुसूचित. लेकिन एल्यूमीनियम एक अपेक्षाकृत जीवंत धातु है, एक बार पैकेजिंग संयंत्र लक्ष्मण नियंत्रण, क्लोरीन का उपयोग मानक गोंद से अधिक, एल्यूमीनियम चिंतनशील परत में सोने इलेक्ट्रोड गोंद में क्लोरीन के साथ प्रतिक्रिया होगी, जंग में जिसके परिणामस्वरूप ।

एलईडी ब्रैकेट

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